В Samsung открыли материал для создания карты памяти нового поколения

Исследователи института Samsung открыли новый материал для создания новейшей памяти. Он получил название аморфный нитрид бора.

Специалисты из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета помогли ученым из Samsung в этом открытие. Вместе им удалось найти нужный материал. Авторы сообщили, что аморфный нитрид бора может очень сильно приблизить создание полупроводниковых материалов нового поколения. Их будут использовать в новейших NAND, то есть флеш-памяти, и DRAM — памяти оперативной.

Одно из главных достоинств аморфного нитрида бора — это возможность использовать его как изолирующий материал, который сводит электрические помехи до возможного минимума.

Вам также может понравиться